La nueva tecnología permite apilar 12 chips DRAM utilizando más de
60,000 agujeros TSV, manteniendo el mismo grosor que los chips actuales de 8 capas
Samsung Electronics, un líder mundial en tecnología avanzada de semiconductores, anunció hoy que ha desarrollado la primera tecnología 3D de 12 capas a través de silicio (TSV) de la industria.
La nueva innovación de Samsung se considera una de las tecnologías de embalaje más desafiantes para la producción en masa de chips de alto rendimiento porque requiere una precisión extrema para interconectar verticalmente 12 chips DRAM a través de una configuración tridimensional de más de 60,000 agujeros TSV, cada uno siendo uno. – Vigésimo grosor de un solo mechón de cabello.
El grosor del embalaje (720㎛) sigue siendo el mismo que el de los productos actuales de memoria de alto ancho de banda 2 de 8 capas (HBM2), lo que representa un avance sustancial en el diseño de componentes. Esto ayudará a los clientes a comercializar productos de alta capacidad de próxima generación con un rendimiento superior sin tener que cambiar el diseño de la configuración de su sistema.
Además, la tecnología de empaque 3D también ofrece un tiempo de transmisión de datos más corto entre chips que la tecnología de enlace de cable existente, lo que resulta en una velocidad significativamente más rápida y un menor consumo de energía.
"La tecnología de empaque que asegura todas las sutilezas de la memoria de alto rendimiento se vuelve extremadamente importante, con la amplia variedad de nuevas aplicaciones, como la inteligencia artificial (IA) y la informática de alta potencia (HPC) Dijo Hong-Joo Baek, vicepresidente ejecutivo de TSP (Test & System Package) en Samsung Electronics.
"A medida que la escala legal de Moore alcanza sus límites, el papel de la tecnología 3D-TSV debería ser aún más crucial". Queremos estar a la vanguardia de esta tecnología de vanguardia en el envasado de chips. "
Al exprimir su tecnología 3D-TSV de 12 capas, Samsung ofrecerá el rendimiento DRAM más alto para aplicaciones que requieren mucha información y alta velocidad.
Además, al aumentar el número de capas apiladas de ocho a 12, Samsung pronto podrá producir en masa una memoria de banda ancha de 24 gigabytes (GB) *, que ofrece tres veces la capacidad de memoria de 8 GB a amplio ancho de banda actualmente disponible en el mercado.
Gracias a su avanzada tecnología TSV 3D de 12 capas, Samsung podrá satisfacer la creciente demanda del mercado de soluciones HBM de alta capacidad. Ella espera fortalecer su liderazgo en el mercado de semiconductores de alta calidad.
*Producto en serie de 8 GB = 8 GB x 8 capas, producto desarrollado de 24 GB = 16 GB x 12 capas
*Estructura transversal PKG
*Enlace por cable vs tecnología TSV
