Ubicado dentro de la línea 2 de Pyeongtaek en Corea,
la nueva instalación debería ser producida en masa en 2S 2021
La instalación estará dedicada a la fabricación.
La memoria V-NAND más avanzada de Samsung
Samsung Electronics, el líder mundial en tecnologías de memoria avanzadas, anunció hoy planes para expandir su capacidad de producción flash NAND en Pyeongtaek, Corea, fortaleciendo así la capacidad de respuesta de la compañía a las demandas de las tecnologías emergentes. La construcción, que comenzó en mayo, allanará el camino para la producción en masa de la memoria V-NAND avanzada de Samsung en la segunda mitad de 2021.
"La nueva inversión reafirma nuestro compromiso de mantener un liderazgo indiscutible en tecnologías de memoria, incluso en tiempos de incertidumbre", dijo Cheol Choi, vicepresidente ejecutivo de Memory Global Sales & Marketing en Samsung Electronics. "Continuaremos sirviendo al mercado con las soluciones más optimizadas disponibles, mientras contribuimos al crecimiento de toda la industria de TI y la economía en general".
En la era de la cuarta revolución industrial impulsada por la inteligencia artificial, el Internet de las cosas y la expansión de 5G, la capacidad adicional desempeñará un papel importante para ayudar a satisfacer la demanda Memoria flash NAND a medio y largo plazo. A medida que prevalezcan los estilos de vida digitales, Samsung continuará siendo proactivo en la realización de nuevas inversiones para aprovechar las oportunidades futuras del mercado.
La red de producción flash NAND de Samsung abarca desde Hwaseong y Pyeongtaek en Corea hasta Xi’an, China. Establecido en 2015, el campus de Pyeongtaek de Samsung es un centro para tecnologías de memoria de próxima generación, compuesto por dos de las cadenas de producción más grandes del mundo.
Aprovechando su ventaja significativa en la fabricación y la tecnología, Samsung ha mantenido la posición de liderazgo en memoria flash NAND durante 18 años, siendo una innovación reciente la primera sexta generación de V-NAND de la industria (capa 1xx) lanzado en julio pasado. Con inversiones equilibradas en sus sitios globales, Samsung apunta a mantener una red de producción sólida que fortalecerá aún más su posición como líder del mercado.
Referencia: línea de tiempo de producción en masa de Samsung V-NAND
| Con fecha de | V-NAND |
| Julio 2013 | 1S t-generación (24 capas) 128 GB MLC V-NAND |
| Agosto 2013 | 1S tGeneración 128 GB MLC V-NAND 960 GB SSD |
| Agosto 2014 | 2Dakota del Norte-generación (32 capas) 128 Gb 3-bit V-NAND |
| Sep 2014 | 2Dakota del NorteSSD V-NAND de nueva generación |
| Agosto 2015 | 3rd-generación (48 capas) 256 Gb 3-bit V-NAND |
| Sep 2015 | 3rdGeneración SSD V-NAND & # 39; 850 EVO & # 39; & # 39; 950 PRO & # 39; |
| Dic. 2016 | 4 4mi-generación (64 capas) 256 Gb 3-bit V-NAND |
| Enero de 2017 | 4 4miSSD V-NAND de nueva generación |
| Enero 2018 | 4 4miNueva generación de SSD V-NAND de 512 GB a 30.72 TB |
| Mayo 2018 | 5 5mi-generación (9x capas) 256 Gb 3-bit V-NAND |
| Junio 2018 | 5 5miSSD V-NAND de nueva generación |
| Junio 2019 | 6 6mi-generación (capa 1xx) 256 Gb 3-bit V-NAND |
| Julio 2019 | 6 6miSSD V-NAND de nueva generación |