Samsung recibe el primer reconocimiento global de soluciones de semiconductores para la sostenibilidad ambiental – Samsung Global Newsroom

La memoria Samsung eUFS 3.0 de 512 GB permitirá las certificaciones de Huella de Carbono y Agua del Carbon Trust acreditado mundialmente
El ETFS 2.1 de Samsung y el V-NAND 512 Gb de quinta generación también recibirán las Etiquetas de Declaración de Producto Ambiental del Ministerio de Medio Ambiente de Corea

Samsung Electronics, un líder mundial en tecnologías de memoria avanzadas, ha anunciado que su almacenamiento integrado Universal Flash Storage (eUFS) de 512 gigabytes (GB) contará con las certificaciones Carbon Footprint y Water Footprint del altamente respetado Carbon Trust con sede en el Reino Unido. , en una ceremonia celebrada en la embajada británica en Seúl, Corea, más tarde hoy. El eUFS 3.0 de 512 GB de Samsung es la primera memoria móvil de la industria en ser reconocida por un organismo de certificación internacional, hecho posible por los amplios esfuerzos de la compañía para reducir las huellas de carbono y agua. .

The Carbon Trust es un organismo mundial de certificación sin fines de lucro creado por el gobierno del Reino Unido para acelerar la transición hacia una economía sostenible con bajas emisiones de carbono. Cada certificación de Carbon Trust se realizó después de una evaluación exhaustiva del impacto ambiental de las emisiones de carbono y el consumo de agua antes y durante el ciclo de producción, según los estándares internacionales *.

"Estamos muy contentos de que nuestras tecnologías de memoria de vanguardia demuestren no solo nuestra capacidad para superar las complejidades de los procesos más difíciles, sino que también son reconocidos por su sostenibilidad ambiental", dijo Chanhoon Park, vicepresidente ejecutivo y jefe del complejo Giheung. Hwaseong Pyeongtaek a Samsung. E. "Samsung continuará creando soluciones de memoria que brinden los niveles más altos de velocidad, capacidad y eficiencia energética a geometrías extremadamente pequeñas para usuarios finales de todo el mundo".

Las innovaciones de semiconductores de Samsung conducen a una producción sostenible

Basado en la V-NAND de quinta generación de la compañía (más de 90 capas), el eUFS 3.0 de 512 GB de Samsung ofrece una velocidad, eficiencia energética y productividad óptimas para ofrecer el doble de capacidad y 2.1 veces más rápido que el e-SF 2.1 de 256 GB de 64 capas, V-NAND de cuarta generación, mientras que requiere un voltaje de operación 30 por ciento más bajo. Además, la V-NAND de quinta generación de Samsung utiliza una tecnología de grabado única que corta más de 90 capas de células en un solo paso preciso. Esto permite que el chip tenga casi 1,5 veces más capas apiladas que la generación anterior y permite una reducción del 25% en el tamaño del chip. Estas innovaciones ayudan a minimizar el aumento general de las huellas de carbono y agua para cada capa de células V-NAND.

En la ceremonia de hoy, el Ministerio de Medio Ambiente de Corea también otorga las etiquetas EPD (Declaración de Producto Ambiental) para su producto "1 terabyte (TB) eUFS 2.1" y su "quinto generación, 512 gigabits (GB) V-NAND ".

Samsung planea expandir activamente la adopción de sus soluciones de memoria de gama alta, gama alta y gama alta a muchos otros teléfonos inteligentes emblemáticos y fortalecer aún más las alianzas mundiales para sus tecnologías de memoria de próxima generación.

*NO 2050 para huella de carbono e ISO 14046 para huella de agua

(Referencia) Huella ambiental Samsung 512 GB eUFS 3.0 (Carbon Trust)

*13,4 kg de CO₂ es comparable a la cantidad absorbida por dos pinos de 30 años en un año

(Referencia) Soluciones de semiconductores de Samsung con certificación ambiental