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Programada para comenzar la producción en masa en 2023, la nueva DRAM de Samsung impulsará la computación de próxima generación, los centros de datos y las aplicaciones de inteligencia artificial con un rendimiento de vanguardia y una mayor eficiencia energética.
Samsung Electronics anunció hoy el desarrollo de su DRAM DDR5 de 16 gigabits (Gb) construida con la primera tecnología de proceso de clase de 12 nanómetros (nm) de la industria, así como la finalización de la evaluación del producto para compatibilidad con AMD.
«Nuestra DRAM de 12 nm será un catalizador clave para impulsar la adopción de la DRAM DDR5 en todo el mercado», dijo Jooyoung Lee, vicepresidente ejecutivo de productos y tecnología DRAM de Samsung Electronics. «Con un rendimiento y una eficiencia energética excepcionales, esperamos que nuestra nueva DRAM sirva como base para operaciones más sostenibles en áreas como la informática de próxima generación, los centros de datos y los sistemas impulsados por energía. IA».
“La innovación a menudo requiere trabajar en estrecha colaboración con socios de la industria para ampliar los límites de la tecnología”, dijo Joe Macri, vicepresidente senior, Corporate Fellow y CTO de Clientes, Cómputo y Gráficos de AMD. «Estamos encantados de volver a colaborar con Samsung, especialmente en la introducción de productos de memoria DDR5 optimizados y validados en plataformas ‘Zen'».
Este salto tecnológico fue posible gracias al uso de un nuevo material de alto κ que aumenta la capacitancia de la celda y una tecnología de diseño patentada que mejora las características críticas del circuito. En combinación con la litografía ultravioleta extrema (EUV) multicapa avanzada, la nueva DRAM presenta la mayor densidad de matriz de la industria, lo que da como resultado una ganancia de productividad del 20 % en las obleas.
Aprovechando el último estándar DDR5, la DRAM de clase 12nm de Samsung ayudará a desbloquear velocidades de hasta 7,2 gigabits por segundo (Gbps). Esto se traduce en el procesamiento de dos películas UHD de 30 gigabytes (GB) en un solo segundo.
La velocidad excepcional de la nueva DRAM viene con una mayor eficiencia energética. Al consumir hasta un 23 % menos de energía que la DRAM anterior, la DRAM de clase 12nm será una solución ideal para las empresas de TI globales que buscan operaciones más respetuosas con el medio ambiente.
Dado que se espera que la producción en masa comience en 2023, Samsung planea expandir su línea DRAM basada en esta tecnología de proceso de clase de 12 nm de vanguardia en una amplia gama de segmentos de mercado mientras continúa trabajando con socios de la industria para respaldar la rápida expansión de la próxima computación de última generación.
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