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Samsung celebra una ceremonia de presentación de herramientas para NRD-K, cuyo lanzamiento está previsto para 2025
Samsung planea invertir alrededor de 20 billones de wones para 2030 en investigación y desarrollo de semiconductores avanzados
Samsung Electronics anunció hoy que celebró una ceremonia de inauguración de su nuevo complejo de investigación y desarrollo de semiconductores (NRD-K) en su campus de Giheung, lo que marca un paso importante hacia el futuro. Alrededor de un centenar de invitados, entre proveedores y clientes, estuvieron presentes para celebrar este importante hito.
Como instalación de última generación, NRD-K comenzó a funcionar en 2022 y está preparada para convertirse en una base de investigación clave para la investigación y el desarrollo de memorias, sistemas LSI y semiconductores de fundición de Samsung. Con su infraestructura avanzada, la investigación y verificación a nivel de producto podrán realizarse bajo un mismo techo. Samsung planea invertir alrededor de 20.000 mil millones de KRW hasta 2030 para el complejo en un área de alrededor de 109.000 metros cuadrados (m2) dentro de su campus de Giheung. El complejo también incluirá una línea dedicada a I+D, cuya entrada en servicio está prevista para mediados de 2025.
“NRD-K acelerará nuestra velocidad de desarrollo, permitiendo a la empresa crear un círculo virtuoso para acelerar la investigación fundamental sobre tecnología de próxima generación y la producción en masa. Sentaremos las bases para un nuevo salto adelante en Giheung, donde comenzaron los 50 años de historia de semiconductores de Samsung Electronics, y crearemos un nuevo futuro para los próximos 100 años”, afirmó Young Hyun Jun, vicepresidente y director de soluciones de dispositivos. División de Samsung Electronics.
«En un momento en el que la importancia de las asociaciones en las que todos ganan es mayor que nunca, Applied Materials se compromete a acelerar la innovación a través de una estrecha colaboración con Samsung Electronics, trabajando juntos para impulsar una nueva ola de crecimiento para la industria de los semiconductores», dijo Park Gwang. -Sun, responsable de materiales aplicados en Corea.
El campus de Samsung en Giheung, ubicado al sur de Seúl, es el lugar de nacimiento de la primera DRAM de 64 megabits (MB) del mundo en 1992, lo que marcó el comienzo del liderazgo de la compañía en semiconductores. La creación de la nueva instalación de I+D marcará el comienzo de los últimos avances en tecnología de procesos y herramientas de fabricación, continuando el legado del sitio a la vanguardia de la innovación.
NRD-K se implementará con litografía ultravioleta extrema (EUV) de alta NA y nuevos equipos de deposición de materiales destinados a acelerar el desarrollo de semiconductores de memoria de próxima generación, como 3D DRAM y V-NAND con más de 1000 capas. Además, también está prevista una infraestructura de backhaul de segmento con capacidades innovadoras de backhaul de oblea a oblea.
Samsung invirtió una cifra récord de 8,87 billones de KRW en I+D en el tercer trimestre de este año y continúa superando los límites para garantizar su competitividad en tecnologías futuras, como el empaquetado avanzado para la producción de memoria de gran ancho de banda (HBM).
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