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La DRAM CXL de 128 GB basada en la interfaz avanzada CXL 2.0 entrará en producción en masa este año, lo que acelerará la comercialización de soluciones de memoria de próxima generación.
Samsung continuará trabajando con empresas globales de centros de datos, servidores y conjuntos de chips para fortalecer el ecosistema CXL
Samsung Electronics, líder mundial en tecnología avanzada de semiconductores, anunció hoy el desarrollo de la primera DRAM de 128 gigabytes (GB) de la industria para admitir Compute Express Link™ (CXL™) 2.0. Samsung ha trabajado en estrecha colaboración con Intel en este avance histórico en una plataforma Intel® Xeon®.
Sobre la base del desarrollo de la primera DRAM CXL basada en CXL 1.1 de la industria en mayo de 2022, se espera que la introducción de Samsung de la DRAM CXL basada en CXL 2.0 de 128 GB acelere la comercialización de soluciones de memoria de próxima generación. La nueva CXL DRAM es compatible con la interfaz PCle 5.0 (x8 lanes) y ofrece un ancho de banda de hasta 35 GB por segundo.
«Como miembro de la junta directiva del Consorcio CXL, Samsung Electronics se mantiene a la vanguardia de la tecnología CXL», dijo Jangseok Choi, vicepresidente del equipo de planificación de nuevos negocios de Samsung Electronics. «Este desarrollo innovador subraya nuestro compromiso de expandir aún más el ecosistema CXL a través de asociaciones con empresas de centros de datos, servidores y conjuntos de chips en toda la industria».
«Intel se complace en trabajar con Samsung en su inversión en un ecosistema CXL vibrante», dijo Jim Pappas, director de iniciativas tecnológicas de Intel Corporation. Intel continuará trabajando con Samsung para impulsar el crecimiento y la adopción de productos CXL innovadores en toda la industria.
«Montage se complace en producir en masa los primeros controladores compatibles con CXL 2.0», dijo Stephen Tai, presidente de Montage Technology. «Esperamos continuar nuestra asociación con Samsung para avanzar en la tecnología CXL y expandir su ecosistema».
Por primera vez, CXL 2.0 es compatible con la agrupación de memoria, una técnica de administración de memoria que vincula múltiples bloques de memoria CXL en una plataforma de servidor para formar un grupo y permite que los hosts asignen dinámicamente memoria del grupo según sea necesario. La nueva tecnología permite a los clientes maximizar la eficiencia al mismo tiempo que reducen los costos operativos, lo que ayudará a los clientes a reinvertir recursos para aumentar la memoria de su servidor.
Samsung planea comenzar a producir en masa CXL 2.0 DRAM a finales de este año y está listo para lanzar ofertas adicionales en varias capacidades para satisfacer la demanda de futuras aplicaciones informáticas.
CXL es una interfaz de próxima generación que mejora la eficiencia de los aceleradores, la DRAM y los dispositivos de almacenamiento utilizados con procesadores en sistemas de servidor de alto rendimiento. Dado que su ancho de banda y capacidad se pueden expandir cuando se usa con DRAM primaria, se espera que los avances tecnológicos causen sensación en el mercado de la computación de próxima generación, donde tecnologías clave como la inteligencia artificial (AI) y el aprendizaje automático (ML) han llevado a una rápido aumento de la demanda de procesamiento de datos de alto rendimiento.
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