La memoria CXL recientemente desarrollada contiene 4 veces la capacidad de memoria en comparación con la versión anterior, lo que permite que un servidor se amplíe hasta decenas de terabytes con solo una quinta parte de la latencia del sistema

Samsung también exhibirá una versión mejorada de su kit de herramientas de software de código abierto que facilita la implementación de la memoria CXL en sistemas informáticos existentes y emergentes.

Samsung Electronics, líder mundial en tecnología de memoria avanzada, anunció hoy el desarrollo de la primera DRAM Compute Express Link (CXL) de 512 gigabytes (GB) de la industria, dando un paso importante hacia la comercialización de CXL que permitirá una capacidad de memoria extremadamente alta con un bajo latencia en los sistemas informáticos.

Desde que presentó el primer prototipo de DRAM CXL de la industria con un controlador de matriz de puerta programable en campo (FPGA) en mayo de 2021, Samsung ha trabajado en estrecha colaboración con centros de datos, servidores empresariales y empresas de tecnología de conjuntos de chips para desarrollar un dispositivo CXL mejorado y personalizable.

El nuevo CXL DRAM está construido con un controlador de circuito integrado específico de la aplicación (ASIC) CXL y es el primero en presentar 512 GB de DDR5 DRAM, lo que ofrece cuatro veces la capacidad de memoria y una quinta parte de la latencia del sistema en comparación con la oferta anterior de Samsung CXL.

«CXL DRAM se convertirá en un punto de inflexión crítico para las futuras estructuras informáticas al hacer avanzar drásticamente la inteligencia artificial (IA) y los servicios de big data, a medida que expandimos agresivamente su uso en arquitecturas de memoria de próxima generación, incluida la memoria definida por software (SDM)», Cheolmin dicho. Park, vicepresidente de marketing y ventas de memorias globales de Samsung Electronics y director del consorcio CXL. «Samsung continuará colaborando en toda la industria para desarrollar y estandarizar las soluciones de memoria CXL, mientras fomenta un ecosistema cada vez más sólido».

“Como miembro activo del Consorcio CXL, Lenovo se compromete a desarrollar este importante estándar y ayudar a construir el ecosistema en torno a la nueva interconexión CXL”, dijo Greg Huff, director de tecnología de Lenovo Infrastructure Solutions Group. «Estamos emocionados de ser parte del programa de desarrollo CXL de Samsung, trabajando para impulsar el crecimiento y la adopción de productos CXL innovadores en los futuros sistemas de Lenovo».

«CXL es una tecnología clave que brinda formas más innovadoras de administrar la expansión y agrupación de memoria, que desempeñará un papel importante en las plataformas de servidores de próxima generación», dijo Christopher Cox, vicepresidente y presidente de tecnología estratégica de Montage Technology. «Montage se complace en continuar su asociación con Samsung para ayudar al ecosistema CXL a crecer rápidamente».

En los últimos años, el crecimiento del metaverso, la IA y los macrodatos ha generado cantidades explosivas de datos. Sin embargo, el diseño DDR convencional limita el escalado de la capacidad de la memoria más allá de las decenas de terabytes, lo que requiere una tecnología de interfaz de memoria completamente nueva como CXL.

El gran grupo de memoria compartido entre CXL y la memoria principal permite que un servidor amplíe su capacidad de memoria a decenas de terabytes y, al mismo tiempo, aumente su ancho de banda a varios terabytes por segundo.

La DRAM CXL de 512 GB de Samsung será el primer dispositivo de memoria compatible con la interfaz PCIe 5.0 y vendrá en un factor de forma EDSFF (E3.S), especialmente adecuado para servidores empresariales y centros de datos de alta capacidad de nueva generación.

A finales de este mes, Samsung planea presentar una versión actualizada de su Scalable Memory Development Kit (SMDK) de código abierto. El kit de herramientas es un paquete de software integral que permite que CXL Memory Expander funcione sin problemas en sistemas de memoria heterogéneos, lo que permite a los desarrolladores de sistemas integrar CXL Memory en varios sistemas informáticos que ejecutan aplicaciones de inteligencia artificial, big data y en la nube, sin tener que modificar los entornos de aplicaciones existentes.

Samsung comenzará a probar su DRAM CXL de 512 GB con clientes y socios para una evaluación y prueba conjuntas en el tercer trimestre de este año, y planea preparar la memoria para su lanzamiento a medida que las plataformas de servidores de nueva generación estén disponibles. Como miembro de la junta del Consorcio CXL, Samsung está colaborando abiertamente con muchos proveedores globales de centros de datos, servidores y conjuntos de chips para ofrecer tecnologías de interfaz de próxima generación que pueden traer beneficios muy tangibles a la industria informática.

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