La DRAM de 10 nm (1.a generación) basada en EUV (D1x) ha completado sus evaluaciones de clientes;
EUV se desplegará completamente desde la 4a generación de DRAM de clase 10nm (D1a) el próximo año
Samsung Electronics, el líder mundial en tecnologías de memoria avanzadas, anunció hoy que ha enviado con éxito un millón de los primeros Clase 10 nm (D1x) DDR4 (Tarifa de fecha doble 4) Módulos DRAM basados en tecnología ultravioleta extrema (EUV). Los nuevos módulos DRAM basados en EUV han completado evaluaciones globales de clientes y abrirán la puerta a nodos de proceso EUV más avanzados para su uso en aplicaciones de PC de alta gama, móviles, servidores empresariales y centros de datos.
"Con la producción de nuestro nuevo DRAM basado en EUV, demostramos nuestro compromiso total con proporcionando soluciones revolucionarias de DRAM para apoyar a nuestros clientes globales de TI ", dijo Jung-bae Lee, vicepresidente ejecutivo de DRAM Product & Technology en Samsung Electronics. "Este gran avance muestra cómo continuaremos contribuyendo a la innovación global de TI mediante el desarrollo oportuno de tecnologías de proceso avanzadas y productos de memoria de próxima generación para el mercado de memoria de gama alta".
Samsung es el primero en adoptar EUV en la producción de DRAM para superar Los desafíos de la escala DRAM. La tecnología EUV reduce los pasos repetitivos en la configuración múltiple y mejora la precisión del modelado, permitiendo un rendimiento mejorado y mejores rendimientos, así como un tiempo de desarrollo más corto.
EUV se desplegará completamente en las futuras generaciones de DRAM de Samsung, comenzando con Cuarto-generación 10 nm (D1a) o DRAM, una clase muy avanzada de 14 nm. Samsung planea comenzar la producción en volumen de DDR5 y LPDDR5 basados en D1a el próximo año, lo que duplicaría la productividad de fabricación para obleas D1x de 12 pulgadas.
En línea con la expansión del mercado DDR5 / LPDDR5 el próximo año, la compañía fortalecerá aún más su colaboración con los principales clientes de TI y proveedores de semiconductores para optimizar las especificaciones estándar a medida que acelera la transición a DDR5 / LPDDR5 en todo el mercado de la memoria.
Para satisfacer mejor la creciente demanda de DRAM premium de nueva generación, Samsung comenzará a operar una segunda línea de fabricación de semiconductores en Pyeongtaek, Corea del Sur, en la segunda mitad de este año.
Cronología del hito de la DRAM de Samsung
| Fecha | Hitos Samsung DRAM |
| 2021 (por determinar) | 4ta generación 10 nm (1a), 16 GB de producción en masa DDR5 / LPDDR5 basada en EUV |
| Marzo 2020 | Desarrollo de DRAM clase 4a generación 10nm (1a) |
| Septiembre de 2019 | 3a generación 8nm (1z) clase 8GB DDR4 producción en masa |
| Junio 2019 | Segunda generación de LPDDR5 de 12 Gb de producción en masa (1 año) 12 GB |
| Marzo 2019 | Desarrollo de DDR4 de 8 GB de tercera generación, clase de 10 nm (1z) |
| Noviembre de 2017 | 2da generación 8 GB DDR4 producción en masa, clase 10 nm (1 año) |
| Septiembre de 2016 | Producción en masa de primera clase 10 nm (1x) LPDDR4 / 4X 16 GB |
| Febrero de 2016 | Producción en masa de primera clase 10 nm (1x) 8 GB DDR4 |
| Octubre de 2015 | 20nm (2z) 12Gb LPDDR4 producción en masa |
| Diciembre 2014 | 20nm (2z) 8Gb GDDR5 producción en masa |
| Diciembre 2014 | 20nm (2z) 8Gb LPDDR4 producción en masa |
| Octubre 2014 | 20nm (2z) 8Gb DDR4 producción en masa |
| Febrero 2014 | 20nm (2z) 4Gb DDR3 producción en masa |
| Febrero 2014 | Producción en serie LPDDR4 8 GB clase 20 nm (2 años) |
| Noviembre 2013 | Producción en serie LPDDR3 6 GB clase 20 nm (2 años) |
| Noviembre 2012 | Producción en masa DDR3 4Gb clase 20 nm (2 años) |
| Septiembre de 2011 | Producción en masa DDR3 2 GB clase 20 nm (2x) |
| Julio 2010 | Producción en masa DDR3 2 GB clase 30 nm |
| Febrero de 2010 | 40nm clase DDR3 4Gb producción en masa |
| Julio de 2009 | Producción en masa DDR3 2 GB clase 40 nm |