Samsung avanzará en sistemas informáticos de alto rendimiento con el lanzamiento del primer HBM2E de tercera generación (16 GB) de la industria – Samsung Global Newsroom

El nuevo HBM2E acumula ocho chips DRAM de 16 GB a 16 GB de capacidad y asegura una velocidad de transferencia de datos estable a 3.2 Gbps Samsung Electronics, líder mundial en tecnologías avanzadas de memoria, anunció hoy el lanzamiento al mercado de "Flashbolt", su memoria 2E de alto ancho de banda de tercera generación […]

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