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Basado en la tecnología de proceso de clase 10nm de segunda generación de Samsung, el módulo DRAM móvil LPDDR5 de 16 GB ofrece el mayor rendimiento y capacidad de la industria.
Samsung Electronics, líder mundial en tecnologías de memoria avanzadas, anunció hoy que ha comenzado la producción en masa del primer paquete DRAM móvil LPDDR5 de 16 gigabytes (GB) para nuevos teléfonos inteligentes de alta gama. generación. Después de la producción en masa del primer LPDDR5 de 12 GB de la industria en julio de 2019, el nuevo avance de 16 GB liderará el mercado de memoria móvil de gama alta con capacidad adicional que permite una funcionalidad mejorada de 5G e IA, que incluye juegos ricos en gráficos y fotografía inteligente.
“Samsung se compromete a llevar las tecnologías de memoria a la vanguardia de la tecnología al permitir a los consumidores experimentar experiencias increíbles a través de sus dispositivos móviles. Estamos encantados de mantenernos fieles a este compromiso con nuestra nueva solución móvil de alta gama para fabricantes de dispositivos globales ", dijo Cheol Choi, vicepresidente ejecutivo de ventas y marketing de memoria de Samsung Electronics. "Con la introducción de una nueva línea de productos basada en nuestra tecnología de proceso de próxima generación a finales de este año, Samsung podrá satisfacer plenamente las futuras demandas de memoria de los clientes globales".
La velocidad de transferencia de datos para el LPDDR5 de 16 GB es de 5.500 megabits por segundo (Mb / s), aproximadamente 1.3 veces más rápido que la memoria móvil anterior (LPDDR4X, 4266Mb / s). En comparación con un gabinete LPDDR4X de 8 GB, la nueva DRAM móvil ofrece más del 20% de ahorro de energía y ofrece hasta el doble de capacidad.
El paquete DRAM móvil LPDDR5 de 16 GB de Samsung consta de ocho chips de 12 gigabits (GB) y cuatro chips de 8 GB, que equipan los teléfonos inteligentes de gama alta con el doble de capacidad DRAM de muchas computadoras Ordenadores portátiles y PC de juegos de alta gama hoy. Además del rendimiento ultrarrápido, la mayor capacidad de la industria admite juegos dinámicos y receptivos, así como gráficos de resolución ultraalta en teléfonos inteligentes de alta gama para experiencias de juegos móviles altamente inmersivas.
A medida que Samsung continúa expandiendo la producción de DRD LPDDR5 móvil en su sitio de Pyeongtaek, la compañía planea producir en masa productos LPDDR5 de 16 Gb basados en tecnología de proceso de clase 10nm (1z) de tercera generación para durante el segundo semestre de este año, de acuerdo con el desarrollo. desde un chipset de 6.400 Mb / s. Tal innovación implacable debería posicionar a Samsung para consolidar aún más su ventaja competitiva en mercados como dispositivos móviles de alta gama, PC de alta gama y aplicaciones automotrices.
(Referencia) Samsung Mobile DRAM Timeline: Production / Mass Prod.
| fecha | capacidad | DRAM móvil |
| Déc.2019 | 16 GB | Clase 10 nm 12 GB + 8 GB LPDDR5, 5500 MB / s |
| Sep 2019 |
12 GB |
LPDDR4X 24 GB clase 10 nm, 4266 MB / s |
| Julio 2019 | 12 GB | LPDDR5 12 GB clase 10 nm, 5500 MB / s |
| Junio 2019 | 6 GB | LPDDR5 12 GB clase 10 nm, 5500 MB / s |
| Fév.2019 | 12 GB | Clase 10 nm, LPDDR4X 16 GB, 4266 MB / s |
| Julio 2018 | 8 GB | Clase 10 nm, LPDDR4X 16 GB, 4266 MB / s |
| Abril 2018 | 8 GB (Desarrollo) |
LPDDR5 8 GB clase 10 nm, 6400 MB / s |
| Sep 2016 | 8 GB | Clase 10 nm, LPDDR4X 16 GB, 4266 MB / s |
| Agosto 2015 | 6 GB | LPDDR4 de 20 nm y 12 GB, 4266 MB / s |
| diciembre 2014 | 4 GB | 20 nm 8 GB LPDDR4, 3200 MB / s |
| Sep 2014 | 3 GB | 20 nm 6 GB LPDDR3, 2133 MB / s |
| Noviembre 2013 | 3 GB | LPDDR3 6 GB clase 20 nm, 2133 MB / s |
| Julio 2013 | 3 GB | LPDDR3 4Gb clase 20 nm, 2133 MB / s |
| abril 2013 | 2 GB | LPDDR3 4Gb clase 20 nm, 2133 MB / s |
| Agosto 2012 | 2 GB | LPDDR3 4Gb clase 30 nm, 1600 MB / s |
| 2011 | 1 / 2GB | LPDDR2 4Gb clase 30 nm, 1066 MB / s |
| 2010 | 512 MB | 2 GB de memoria MDDR de 40 nm de clase, 400 MB / s |
| 2009 | 256 MB | 1 GB de memoria MDDR clase 50nm, 400 MB / s |
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